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Static Noise Margin of the Full DG-CMOS SRAM Cell Using Bulk FinFETs (OMEGA MOSFETs)

기간

2003

참가자

T. Park

대회명

2003 IEEE International Electron Devices Meeting

Static Noise Margin of the Full DG-CMOS SRAM Cell Using Bulk FinFETs (OMEGA MOSFETs)