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반도체소자 및 그의 제조방법 (SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME)
작성자
admgenie
작성일
2024-03-25
조회
406
SOI를 이용하여 소자의 열화가 없고 잡음을 최소화하며 공정을 단순화 시키기에 알맞은 반도체소자 및 그의 제조방법을 제공하기 위한 것이다. 이와 같은 목적을 달성하기 위한 반도체소자는 제 1 반도체층과 매몰절연막과 제 2 반도체층으로 구성된 기판, 상기 제 2 반도체층을 제 1 영역과 제 2 영역으로 격리시키는 제 1 필드산화막, 상기 제 2 영역의 소정영역에 형성된 리세스영역, 상기 제 1 영역의 소정영역과 상기 제 2 영역의 리세스영역의 소정영역에 적층되어 형성된 게이트절연막과 게이트전극, 상기 제 1 영역의 상기 게이트전극양측의 제 2 반도체층 표면내에 형성된 제 1 불순물영역과 상기 제 2 영역의 리세스영역에 형성된 상기 게이트전극 하부가 완전히공핍도록 상기 게이트전극 양측의 상기 제 2 반도체층 표면내에 일부분이 상기 매몰절연막과 접하도록 형성된 제 2 불순물영역으로 구성됨을 특징으로 한다.
등록번호/일자 1002611650000 (2000.04.17)
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