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자기정렬형 함몰 채널구조를 기반으로 하는 고집적 저전압 이이피롬 셀의 구조 및 그 제조 방법 (HIGH DENSITY AND LOW VOLTAGE EEPROM CELL HAVING A SELFALIGN TYPE CONCAVE C
Author
admgenie
Date
2024-03-25
Views
428
본 발명은 소자 스케일링 다운에 따라 소자의 성능이 개선되는 자기정렬형 채널 함몰 구조에 면적의 증가 없이 이이피롬 셀(EEPROM cell)의 쓰기(writing) 전압을 효과적으로 낮출 수 있는 자기 정렬형 함몰 채널 구조를 기반으로 하는 고집적 저전압 이이피롬 셀의 구조 및 그 제조 방법에 관한 것이다. CMOS 소자 기술에서 소자의 크기가 0.1 ㎛ 또는 그 이하로 작아지면서 게이트 산화막의 두께 및 소스/드레인 접합의 깊이가 낮아지고 펀치쓰루를 막기 위해 채널의 도우핑이 증가하게 되었다. 특히 LDD 영역에 해당하는 소스/드레인 접합의 깊이가 낮아지면서 저항 증가가 소자의 성능을 떨어뜨리는 결과를 초래하였다. 이를 위해 몇 가지 방법이 소개되었으며, 그 중에서 채널 영역 만 함몰시키는 기술이 있다. 그러나 종래의 함몰 채널 구조는 게이트가 자기 정렬되지 않아 소자의 집적도를 떨어뜨리는 문제가 있었다. 따라서, 본 발명은 0.1 ㎛ 또는 그 이하의 게이트 길이를 가지면서 소자 성능이 향상되고, 효과적으로 쓰기(writing) 전압을 낮출 수 있는 고집적 저전압 이이피롬 셀을 제안하고자 한다.
등록번호/일자 1002870680000 (2001.01.19)
등록번호/일자 1002870680000 (2001.01.19)