본 발명은 안장(Saddle) 구조를 갖는 나노 크기의 플래시 메모리 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 특히 MOS 기반 플래시 메모리 소자의 축소화 특성과 성능을 개선하기 위한 안장형 고집적/고성능 플래시 메모리 소자에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 소자에서 함몰된 채널 주변의 절연막을 선택적으로 약간 제거하면 함몰된 채널의 표면 뿐 만 아니라 측면이 드러나게 되며, 드러난 표면 및 측면에 터널링 절연막을 형성하고 플로팅 전극, 전극간 절연막 및 제어 전극을 형성하여 소자를 구현하게 된다. 특히, 플로팅 전극으로 절연이 되는 질화막이나 다수의 나노 크기 dot을 적용하면 마스크의 추가 없이 우수한 메모리 소자를 구현할 수 있다. 따라서, 본 발명은 축소화 특성이 뛰어나고 함몰된 채널의 표면 및 측면에 전류가 흐를 수 있는 채널이 형성되기 때문에 전류구동 능력이 크게 증가하며, 제어전극의 채널에 대한 통제능력을 향상시켜 메모리 쓰기/지우기 특성을 개선할 수 있다.

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