본 발명은 MOS 소자의 축소화 특성과 성능을 개선하기 위한 안장형 MOS 소자에 관한 것이다. 특히, 본 발명의 특징은 채널영역이 함몰되어 있고 동시에 함몰된 채널의 일부 표면 및 측면에 게이트 절연막과 게이트 전극이 형성되어 있으며, 게이트 전극은 함몰된 채널과 정렬이 되도록 하는 구조의 MOS 소자를 구현하는 데 있다. 이러한 구조를 구현하기 위한 본 발명에 의하면, 반도체 기판 위에 기판과 연결되는 담장 형태의 반도체 바디(구조물)가 형성되고, 상기 기판과 담장형 반도체 바디의 표면에 제 1절연막과 질화막 및 소자격리를 위한 제 2절연막이 순차적으로 형성되며, 상기 제 1절연막, 질화막 및 제 2절연막이 반도체 바디의 표면을 기준으로 평탄화되어 형성되며, 상기 담장형 반도체 바디에서 게이트 전극 마스크로 정의되는 부분의 담장형 반도체 바디가 표면으로부터 소정 깊이로 함몰되도록 형성하고, 상기 함몰된 담장형 반도체 바디의 측면에 드러나 있는 제 1절연막과 질화막이 제거되고 담장형 반도체 바디의 표면으로부터 함몰된 영역의 소정 깊이를 제외한 함몰 영역에서 제 1절연막 및 질화막이 담장형 반도체 바디의 함몰 폭이나 깊이 보다 크게 되도록 제거되어 상기 함몰된 영역의 소정 깊이를 제외한 영역에서 담장형 반도체 바디의 측면이 드러나도록 형성되며, 상기 결과물 위에 게이트 절연막이 함몰된 담장형 반도체 바디의 표면 및 드러난 측면에 형성되고, 게이트 전극과 측벽 스페이서가 순차적으로 형성되며, 상기 담장형 반도체 바디의 표면으로부터 소정 깊이까지 소스/드레인이 형성되고, 상기 결과물 위에 소정 두께의 절연막이 형성되고, 콘택(contact)과 금속층이 형성된 것을 특징으로 하는 안장형 구조를 갖는 MOS 소자를 제시한다.

등록번호/일자 1006486350000 (2006.11.15)