본 발명은 안장(Saddle) 구조를 갖는 나노 크기의 MOS 소자에 관한 것으로서, 특히 채널과 게이트 구조가 말 안장 형태를 갖도록 제조함으로써 MOS 소자의 축소화 특성과 성능을 개선할 수 있는 새로운 구조의 고집적/고성능 MOS 소자에 관한 것이다. 본 발명에 의한 MOS 소자의 주요 특징은 채널영역이 함몰되어 있고 동시에 함몰된 채널의 표면 및 측면에 게이트 절연막과 게이트 전극이 형성되어 있으며, 상기 게이트 전극은 함몰된 채널과 자기정렬이 되도록 형성되어 있다. 즉, 제안된 MOS 소자에서는 함몰된 채널 주변의 절연막을 선택적으로 약간 제거하면 함몰된 채널의 표면 뿐 만 아니라 측면이 드러나게 된다. 따라서, 본 발명에 의하면 축소화 특성이 뛰어나고 함몰된 채널의 표면 및 측면에 전류가 흐를 수 있는 채널이 형성되기 때문에 전류구동 능력이 크게 증가하며, 게이트 전극의 채널에 대한 통제능력을 향상시켜 소자의 특성을 개선할 수 있다.

등록번호/일자 1006892110000 (2007.02.23)