본 발명은 웰 구조를 갖는 CMOS 소자에 관한 것으로서, CMOS 로직 및 메모리 소자에서 웰(well) 구조를 변화시켜 고집적과 고속을 구현할 수 있도록 FinFET 유형의 소자에 적합한 웰 구조를 갖는 CMOS 소자에 관한 것이다. 특히, CMOS 기술에서 제안된 본 발명의 웰 구조를 적용하면 웰과 웰 사이의 거리를 크게 줄일 수 있을 뿐 아니라, 웰과 확산영역 사이의 거리를 크게 줄일 수 있어 집적도를 개선하고 기생용량 성분을 줄 일 수 있기 때문에 동작속도를 개선할 수 있다. 본 발명에 의하면, 반도체 기판 위에 소정의 높이와 폭을 갖는 담장형 반도체 바디(구조물)가 형성되고, 소자 격리를 위한 절연막이 담장형 반도체 바디의 소정 높이까지 형성되며, 웰 내에 형성되는 소자에 대해 담장형 반도체 바디의 바닥 보다 얕게 또는 소자 격리를 위한 절연막의 바닥보다 얕게 웰이 형성되고, 상기 드러난 담장형 반도체 바디의 상부 표면 및 좌우측면에 표면처리를 거친 후 게이트 절연막과 게이트 전극이 순차적으로 형성되며, 상기 결과물에 소스/드레인 확산영역과 웰 콘택을 위한 확산영역이 형성되고, 소자 격리를 위한 산화막이 형성된 후 콘택홀과 금속배선이 형성된 것을 특징으로 하는 CMOS 소자를 제시한다.

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