Domestic
Registration
낮은 누설전류를 갖는 고밀도 FIN 전계효과트랜지스터및 그 제조 방법 (High density Fin field effect transistor having low leakage current and method of manuf
Author
admgenie
Date
2024-03-25
Views
425
본 발명은 낮은 누설 전류와 우수한 축소화 특성을 갖는 Fin 전계효과트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 상기 Fin 전계효과트랜지스터는 벌크 실리콘 기판, 상기 기판위에 패터닝되어 형성된 담장형 바디, 상기 담장형 바디의 상부의 가운데 부분을 식각하여 형성된 트렌치에 절연 물질을 채워 완성된 바디 분리부, 상기 기판의 표면과 상기 담장형 바디의 일정 높이까지 형성된 절연막, 상기 절연막이 형성되지 않은 상기 담장형 바디의 측벽 및 상부 표면에 형성되는 게이트 절연막, 상기 게이트 절연막위에 형성되는 게이트 전극, 상기 게이트 전극이 형성되지 않은 상기 담장형 바디의 소정의 영역에 형성되는 소오스/드레인 영역을 포함한다. 상기 게이트 전극은 일함수가 서로 다른 제1 게이트 전극 및 제2 게이트 전극이 서로 접촉되어 형성되고, 특히 일함수가 작은 제2 게이트 전극이 드레인 쪽으로 배치되도록 한다. 그 결과, 본 발명에 따른 FinFET은 게이트 전극에 일함수가 큰 물질을 사용하여 문턱전압을 증가시키되, 드레인과 겹치는 게이트 전극의 일함수를 낮춤으로써 GIDL(Gate Induced Drain Leakage)을 감소시킬 수 있게 된다.
등록번호/일자 1008238740000 (2008.04.15)
등록번호/일자 1008238740000 (2008.04.15)