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낮은 누설전류를 갖는 기둥형 전계효과트랜지스터 (Pillar-type field effect transistor having low leakage current)
작성자
admgenie
작성일
2024-03-25
조회
446
본 발명은 낮은 누설 전류를 갖는 기둥(pillar)형 전계효과트랜지스터 관한 것이다. 상기 기둥형 전계효과트랜지스터는 반도체 기판 또는 SOI (Silicon On Insulator) 기판 위에 패터닝되어 형성된 기둥형 바디, 상기 기둥형 바디의 표면에 형성된 게이트 절연막, 상기 게이트 절연막의 표면에 형성되는 게이트 전극, 상기 게이트 전극이 형성되지 않은 상기 기둥형 바디의 소정의 영역에 형성되는 소오스/드레인 영역을 포함한다. 상기 게이트 전극은 일함수가 서로 다른 제1 게이트 전극 및 제2 게이트 전극을 포함하며, 상기 제1 게이트 전극 및 제2 게이트 전극은 절연막으로 분리되어 형성되나 금속 배선등에 의해 전기적으로 서로 연결되게 형성된다. 일함수가 더 작은 제2 게이트 전극은 드레인과 겹치도록 배치된다. 그 결과, 본 발명에 따른 기둥형 FET은 게이트 전극에 일함수가 큰 물질을 사용하여 문턱전압을 증가시키되, 드레인과 겹치는 부분의 게이트 전극의 일함수를 낮춤으로써 GIDL(Gate Induced Drain Leakage)을 감소시켜 off 상태의 누설전류를 크게 줄이게 된다.
등록번호/일자 1008612360000 (2008.09.25)
등록번호/일자 1008612360000 (2008.09.25)