Domestic
Registration
고집적 낸드 플래시 메모리 셀 소자 및 셀 스트링 (High density NAND flash memory cell device and cell string)
Author
admgenie
Date
2024-03-25
Views
448
본 발명은 고집적 플래시 메모리 셀 소자 및 셀 스트링에 관한 것이다. 상기 플래시 메모리 셀 스트링은 다수 개의 셀 소자 및 상기 셀 소자의 끝단에 연결되는 스위칭 소자를 구비한다. 상기 셀 소자는 반도체 기판, 반도체 기판에 순차적으로 적층되는 투과 절연막, 나노 도트(dot)로 구성된 전하 저장 노드, 컨트롤 절연막 및 제어 전극을 구비하고, 소스/드레인 영역은 형성되지 않는 것을 특징으로 한다. 상기 플래시 메모리 셀 스트링에서 소스/드레인 기능을 대신하는 반전층의 형성을 쉽게 하는 실리콘 기판 구조를 특징으로 한다. 상기 스위칭 소자는 셀 소자와 연결된 쪽에 소스 또는 드레인 영역을 구비하지 않으며, 셀 소자와 연결되지 않은 쪽에 소스 또는 드레인 영역을 구비하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하여 NAND 플래시 메모리의 셀 소자의 축소화 특성과 성능을 개선하고, 제어 전극 및 전하 저장 노드로부터 발생되는 프린징(fringing) 전계를 통해 채널의 반전층을 유기해서 셀과 셀 사이 또는 셀 스트링이 전기적으로 연결되도록 한다.
등록번호/일자 1009278630000 (2009.11.13)
등록번호/일자 1009278630000 (2009.11.13)