본 발명은 초고집적 플래시 메모리 셀 소자, 셀 스트링 및 그 제조방법에 관한 것이다. 상기 셀 소자는 반도체 기판, 반도체 기판위에 형성된 제1 도우핑 반도체 영역, 상기 제1 도우핑 반도체 영역위에 형성된 제2 도우핑 반도체 영역; 상기 제2 도우핑 반도체 영역위에 순차적으로 형성되는 터널링 절연막, 전하 저장 노드, 컨트롤 절연막 및 제어 전극;을 구비한다. 상기 제1 및 제2 도우핑 반도체 영역은 서로 다른 반도체 유형으로 도핑된 것을 특징으로 한다. 상기 플래시 메모리 셀 스트링은 전술한 구조를 갖는 다수 개의 셀 소자가 일렬로 배열되어 형성되거나 상기 배열된 셀 소자들 및 셀 선택을 위한 스위칭 소자로 형성된다. 본 발명에 의하여 기존의 NOR나 NAND 플래시 메모리의 셀 소자의 축소화 특성과 성능을 크게 개선한다. 본 발명에 따른 셀 소자는 기존의 트랜지스터형 셀 소자와 달리 채널과 소스/드레인을 구비하지 않기 때문에 기존의 메모리에 비해 제조공정이 간단하고 cross-talk이나 read disturb와 같은 문제를 크게 개선한다.

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