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플로팅 바디를 갖는 적층형 비휘발성 메모리 셀 소자, 상기셀 소자를 이용한 비휘발성 메모리 셀 스택, 비휘발성 메모리 셀 스트링, 비휘발성 메모리 셀 어레이 및 그 제조 방법
Author
admgenie
Date
2024-03-25
Views
411
본 발명은 플로팅 바디를 갖는 적층형 비휘발성 메모리 셀 소자, 비휘발성 메모리 셀 소자 스택, 비휘발성 메모리 셀 스트링, 비휘발성 메모리 셀 스트링 스택, 비휘발성 메모리 셀 스트링 스택 어레이에 관한 것이다. 상기 비휘발성 메모리 셀 스트링은 다수 개의 플로팅 바디를 갖는 적층형 비휘발성 메모리 셀 소자 및 상기 셀 소자의 끝단에 연결되는 스위칭 소자를 구비한다. 상기 셀 소자 스택은 반도체 기판위에 상기 적층형 비휘발성 메모리 셀 소자들을 적층하여 구현된다. 상기 셀 스트링 스택은 상기 셀 스트링을 적층하여 구현되며, 상기 셀 스트링 스택을 배열하여 셀 스트링 스택 어레이를 구현한다. 상기 셀 소자 스택은, 반도체 기판; 상기 반도체 기판의 표면에 수직형 기둥 형태로 형성되는 제어전극; 상기 제어전극과 상기 반도체 기판의 사이에 형성되는 절연막; 상기 제어전극의 측면에 형성되는 게이트 스택; 상기 게이트 스택의 측면에 형성된 제1 절연막; 상기 게이트 스택의 측면에 형성된 반도체 영역;을 구비한다. 상기 제1 절연막과 반도체 영역은 상기 게이트 스택의 측면에 교대로 층으로 형성된다. 본 발명에 의하여 제조비용을 줄이면서 NAND 비휘발성 메모리의 용량증가와 셀 소자의 성능을 크게 개선할 수 있다.
등록번호/일자 1010022930000 (2010.12.13)
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