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분리 절연막 스택으로 둘러싸인 차폐전극을 갖는 3차원 수직형 메모리 셀 스트링, 이를 이용한 메모리 어레이 및 그 제조 방법
작성자
admgenie
작성일
2024-03-25
조회
448
본 발명은 수직형 반도체 메모리 셀 스트링, 이를 이용한 메모리 어레이 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 MOS 기반 플래시 메모리 소자의 축소화 특성과 성능을 개선하고 메모리 용량을 늘리기 위하여 전하 저장노드를 포함하는 분리 절연막 스택으로 둘러싸인 차폐전극을 갖는 3차원 수직형 메모리 셀 스트링과 이를 이용한 메모리 어레이 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
등록번호/일자 1010561130000 (2011.08.04)
등록번호/일자 1010561130000 (2011.08.04)