본 발명의 목적은 셀 커패시터를 사용하지 않는 고성능 단일 트랜지스터 DRAM 셀 소자를 제공하는 것이다. 본 발명의 소자는 이중-게이트 구조를 갖고 있으며, 하부에 비휘발성 기능을 위한 게이트 스택과 제어전극을 구비하고 있으며, 상부에는 게이트 전극을 갖고 있다. 하부의 비휘발성 기능을 갖춤으로서 “쓰기1”과 “쓰기0” 사이의 센싱(sensing) 마진(margin)을 크게 하고 유지(retention) 특성을 크게할 수 있다. 특히, 셀 소자의 소스와 드레인 영역이 상기 제어전극 위에 형성된 게이트 스택에 닿지 않도록 형성하여 플로팅 채널의 커패시턴스를 크게 하고 GIDL(Gate Induced Drain Leakage)을 크게 줄여 유지 특성을 크게 개선할 수 있다. 본 발명에서는 이러한 특성을 얻을 수 있는 셀 소자의 구조와 그 소자의 제조방법을 제공한다. 본 발명에 의하여 MOS 기반의 DRAM 셀 소자의 축소화 특성과 성능이 개선되고 메모리 용량이 증가하게 된다.

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