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고집적 수직형 반도체 메모리 셀 스트링, 셀 스트링 어레이, 및 그 제조 방법 (High-density vertical-type semiconductor memory cell string, cell string array and
Author
admgenie
Date
2024-03-25
Views
447
본 발명은 수직형 메모리 셀 스트링 및 그 제조방법에 관한 것이다. 상기 수직형 메모리 셀 스트링은, 반도체 기판; 상기 반도체 기판위에 수직으로 형성된 제1 절연막; 상기 제1 절연막의 양쪽 측면에 형성된 반도체 바디 및 게이트 스택; 상기 게이트 스택의 일 측면에 다수 개의 층으로 형성된 제어전극; 상기 게이트 스택의 일 측면에 다수 개의 층으로 형성되며, 상기 제어전극의 층들의 사이에 형성된 전극간 절연막;을 구비하고, 상기 반도체 바디, 게이트 스택, 단일층의 제어전극은 하나의 셀 소자를 구성하고, 상기 제1 절연막의 일 측면에 형성된 다수 개의 셀 소자는 하나의 셀 스택을 구성하며, 둘 이상의 셀 스택이 반도체 기판위에 수직으로 배치되며 각 셀 스택의 반도체 바디는 전기적으로 서로 연결된다. 본 발명에 의하여, 셀 스트링의 집적도 및 프로그램이나 이레이져 속도를 개선할 수 있으며, 제조 비용을 줄이면서 NAND 플래시 메모리의 용량증가와 셀 소자의 성능을 개선할 수 있다.
등록번호/일자 1010736400000 (2011.10.07)
등록번호/일자 1010736400000 (2011.10.07)