Domestic
Registration
단순화된 비휘발성 메모리 셀 스트링 및 이를 이용한 낸드 플래시 메모리 어레이
Author
admgenie
Date
2024-03-25
Views
467
본 발명은 종래 핀펫 구조에서, 담장형 반도체를 2개의 쌍둥이 핀으로 분리시킴으로써, 집적도를 높일 수 있음은 물론, 이웃 셀간의 간섭을 근본적으로 막을 수 있고, 게이트 전극을 채널 영역과 소스 또는 드레인 영역 사이에 형성되는 공핍 영역 상에 형성함으로써, GIDL에 의한 메모리 동작으로 종래 낸드 플래시 메모리 어레이에서 필수적으로 요구되었던 GSL 및 CSL을 제거하여, 집적도를 획기적으로 높일 수 있는 비휘발성 메모리의 셀 스트링 및 이를 이용한 낸드 플래시 메모리 어레이를 제공한다.
등록번호/일자 1012873640000 (2013.07.12)
등록번호/일자 1012873640000 (2013.07.12)