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고집적 플래쉬 메모리 셀 스트링
Author
admgenie
Date
2024-03-25
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411
뛰어났다고 축소화 특성이 가지며, 역치 전압이 살포를 줄이는 것이 할 수 있는 플래시 메모리 셀 스트링 및 이 제조 방법을 제공한다. 【해결수단】본 발명은 플래시 메모리 셀 스트링 및 이 제조 방법에 관한다. 상기 플래시 메모리 셀 스트링은 다수가 셀 소자 및 상기 셀 소자가 단부로 연결하시는 스위칭 소자(switching element)를 포함한다. 상기 셀 소자는 반도체 기판(semiconductor substrate)과, 반도체 기판(semiconductor substrate)으로 순차적으로 적층하시는 투과 절연막과, 전하 저장 노드와, 컨트롤(control) 절연막과, 제어 전극(controlling electrode)을 구비해 소스／drain(drain)가 형성하시지 아닌 것을 특징과한다. 상기 스위칭 소자(switching element)는 셀 소자로 연결하시는 옆으로 소스 또는 drain(drain)를 포함하지 내지, 셀 소자로 연결하시지 아닐 측으로 소스 또는 drain(drain)를 포함하지만 제어 전극(controlling electrode)히 겹치, 또는 또는 겹치지 않는 것을 특징과한다.
등록번호/일자 05317981 (2013.07.19)
등록번호/일자 05317981 (2013.07.19)