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가중치 전극을 갖는 3차원 수직형 메모리 셀 스트링, 이를 이용한 메모리 어레이 및 그 제조 방법
Author
admgenie
Date
2024-03-25
Views
437
본 발명은 수직형 반도체 메모리 셀 스트링, 이를 이용한 메모리 어레이 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 MOS 기반 플래시 메모리 소자의 축소화 특성과 성능을 개선하고 메모리 용량을 늘리기 위하여 바디를 공유하는 이웃한 셀 스택 사이마다 플로팅 게이트 형태의 가중치 전극, 터널링 절연막 및 가중치 제어 전극을 구비한 3차원 수직형 메모리 셀 스트링과 이를 이용한 메모리 어레이 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
등록번호/일자 1013295860000 (2013.11.08)
등록번호/일자 1013295860000 (2013.11.08)