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Registration
수직채널을 갖는 모스펫 및 이를 이용한 논리 게이트 소자 (MOSFET HAVING VERTICAL CHANNEL AND LOGIC GATE DEVICE USING THE SAME)
작성자
admgenie
작성일
2024-03-25
조회
458
본 발명은 담장형 반도체와 같이 적어도 하나의 수직 측면을 갖는 반도체의 일 측면에 소스/드레인을 형성하고, 상기 담장형 반도체의 타 측면에 절연막을 형성하여, 채널이 형성되는 바디의 폭을 줄여 축소화 특성을 개선하고, 소자가 점유하는 면적을 줄이면서, 상기 바디를 반도체 기판 또는 웰(well)에 연결함으로써, 플로팅 바디 문제를 해결할 수 있는 수직채널을 갖는 모스펫 및 이를 이용한 논리 게이트 소자를 제공한다.
등록번호/일자 1013632720000 (2014.02.06)
등록번호/일자 1013632720000 (2014.02.06)