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게이트 다이오드 구조를 갖는 메모리 셀 스트링 및 이를 이용한 메모리 어레이 (MEMORY CELL STRING BASED ON GATED-DIODE CELL AND MEMORY ARRAY USING THE SAME)
작성자
admgenie
작성일
2024-03-25
조회
482
본 발명은 담장형 반도체를 2개의 쌍둥이 핀으로 분리시키고, 각 핀에 게이트 다이오드 구조를 갖는 메모리 셀로 메모리 셀 스트링을 형성함으로써, 집적도를 높일 수 있음은 물론, 이웃 셀간의 간섭을 근본적으로 막을 수 있고, 게이트 전극이 감싸는 제 1 반도체층 및 PN 접합에 공핍 영역 상에 형성함으로써, GIDL에 의한 메모리 동작으로 종래 낸드 플래시 메모리 어레이에서 필수적으로 요구되었던 GSL 및 CSL을 제거하여, 집적도를 획기적으로 높일 수 있어, 신경모방 기술에도 적용할 수 있는 비휘발성 메모리의 셀 스트링 및 이를 이용한 메모리 어레이를 제공한다.
등록번호/일자 1014304150000 (2014.08.08)
등록번호/일자 1014304150000 (2014.08.08)