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3차원 적층형 메모리 장치 및 상기 장치에서의 수직 상호 연결 구조
작성자
admgenie
작성일
2024-03-25
조회
414
본 발명은 셀 영역에 수직 상호 연결 구조를 갖는 3차원 적층형 메모리 장치에 관한 것이다. 상기 3차원 적층형 메모리 장치는, 기판위에 메모리 스택들이 배치되는 셀 영역을 구비하며, 상기 셀 영역에 수직형 메모리 스택들과 수직 상호 연결 구조를 구비하고, 상기 수직 상호 연결 구조는, 상기 셀 영역의 수직 방향을 따라 형성된 비아 홀; 및 상기 비아 홀을 도전성 물질로 채워 이루어진 도전성 기둥(conductive pillar); 을 구비한다. 상기 수직 상호 연결 구조는 수직형 메모리 스택의 상부 전극과 기판의 도전 영역을 수직 방향을 따라 상호 연결되도록 구성된다. 본 발명에 따른 3차원 적층형 메모리 장치는 셀 영역에 도전성 물질의 수직 배선 플러그로 구성된 수직 상호 연결 구조를 가짐으로써, 제조 공정이 용이하고 적층형 메모리 장치들의 상부 전극과 하부 전극 또는 기판의 주변 회로와의 수직 상호 연결을 가능하게 한다.
등록번호/일자 1022864280000 (2021.07.30)
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