Domestic
Registration
자기정렬행 MOS 트랜지스터의 제조방법 (Method for fabricating self alignment type MOSFET)
Author
admgenie
Date
2024-03-25
Views
364
본 발명은 자기정렬형 MOS 트랜지스터의 제조방법에 관한것으로 채널영역에 게이트전극이 자기정렬되어 소오스/드레인영역이 대칭적으로 형성되어 소자의 특성이 개선되는 동시에 고집적화 될 수 있는 MOS 트랜지스터의 제조방법에 관한것이다.
상술한 본 발명은 채널형성영역의 상부가 노출되도록 제2개구부를 형성하는 공정과, 전면에 폴리실리콘(17) 을 증착하고 이를 패터닝하여 제2개구부(14) 의 내부에만 폴리실리콘(17) 을 잔존시켜 이를 게이트전극(20) 으로 형성하여 채널영역과 게이트전극(20) 이 자기정렬되게 함으로써 게이트전극(20) 의 폭을 최소화함으로써 실현된다.
등록번호/일자 1001609170000 (1998.08.20)
상술한 본 발명은 채널형성영역의 상부가 노출되도록 제2개구부를 형성하는 공정과, 전면에 폴리실리콘(17) 을 증착하고 이를 패터닝하여 제2개구부(14) 의 내부에만 폴리실리콘(17) 을 잔존시켜 이를 게이트전극(20) 으로 형성하여 채널영역과 게이트전극(20) 이 자기정렬되게 함으로써 게이트전극(20) 의 폭을 최소화함으로써 실현된다.
등록번호/일자 1001609170000 (1998.08.20)