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바이폴라트랜지스터 및 그의 제조방법 (A bipolar transistor and method for fabricating thereof)
작성자
admgenie
작성일
2024-03-25
조회
451
본 발명은 바이폴라 트랜지스터 및 그의 제조방법에 관한 것으로서, 제1기둥의 상부에 베이스영역을 형성하고, 이 베이스영역에 에미터 전극으로부터 불순물을 확산시켜 에미터영역을 형성하므로 베이스영역과 에미터영역의 접촉면이 넓으므로 전류 구동 능력이 크고, 또한, 베이스영역의 기생 저항 및 기생 캐패시턴스가 작다.
또한, 상기 바이폴라 트랜지스터는 저농도 콜렉터영역으로 이용되는 제1기둥 하부의 불순물 농도가 낮고 콜렉터영역의 길이가 길므로 항복 전압 및 어얼리 전압이 높게 된다.
따라서, 전류 구동 능력이 크고 베이스영역의 기생 저항 및 기생 캐패시턴스가 작으며, 또한, 항복 전압 및 어얼리 전압이 높으므로 고속 디지탈 집적회로 및 아날로그 집적회로에 사용할 수 있어 디지탈 집적회로와 아날로그 집적회로가 혼재된 디지탈 집적회로/아날로그 집적회로를 설계 및 제조할 수 있다.
등록번호/일자 1001637450000 (1998.09.08)
또한, 상기 바이폴라 트랜지스터는 저농도 콜렉터영역으로 이용되는 제1기둥 하부의 불순물 농도가 낮고 콜렉터영역의 길이가 길므로 항복 전압 및 어얼리 전압이 높게 된다.
따라서, 전류 구동 능력이 크고 베이스영역의 기생 저항 및 기생 캐패시턴스가 작으며, 또한, 항복 전압 및 어얼리 전압이 높으므로 고속 디지탈 집적회로 및 아날로그 집적회로에 사용할 수 있어 디지탈 집적회로와 아날로그 집적회로가 혼재된 디지탈 집적회로/아날로그 집적회로를 설계 및 제조할 수 있다.
등록번호/일자 1001637450000 (1998.09.08)