Domestic
Registration
고속 저전력형 SOI 버퍼회로 (High speed silicon on insulating substrate buffer circuit with less power dissipation)
Author
admgenie
Date
2024-03-25
Views
393
본 발명은 바디제어 기법을 이용한 고속 저전력형 SOI 버퍼회로에 관한 것으로서, 주된 FET가 구동됨과 동시에 또는 구동되기 전에 먼저 FET의 기판 바이어스를 제어하는 선충전 기법을 이용함으로써 기생 바이폴러 트랜지스터를 효과적으로 이용하여 전류의 구동능력이 높아져서 고속동작이 가능하게 하여 소자의 최소 항복전압 이하에서 자유로운 공급전압의 입력이 가능하며, 천이시에 활성 MOS 소자의 VT가 동적으로 낮아지고, 저전압 회로에 응용이 가능하며, 버퍼로 사용될 때에 논리 기능을 하는 CMOS 회로에 바로 연결이 가능하고, 풀-다운과 풀-업 속도를 대칭적인 쉽게 구현할 수 있다는 데에 그 효과가 있다.
등록번호/일자 1001710280000 (1998.10.16)
등록번호/일자 1001710280000 (1998.10.16)