서울대학교 이종호 교수님 연구실Semiconductor Materials and Devices Laboratory

저항 변화를 기반으로 한 나노 스케일의 전자기계적 구조의 스위치 소자 (NEMS atomic switch based on resistance variation)

게이트 다이오드 구조를 갖는 메모리 셀 스트링 및 이를 이용한 메모리 어레이 (MEMORY CELL STRING BASED ON GATED-DIODE CELL AND MEMORY ARRAY USING THE SAME)

수평형 플로팅 게이트를 갖는 FET형 가스 감지소자 (FET TYPE GAS-SENSITIVE DEVICE HAVING HORIZONTAL FLOATING GATE)

수직채널을 갖는 모스펫 및 이를 이용한 논리 게이트 소자 (MOSFET HAVING VERTICAL CHANNEL AND LOGIC GATE DEVICE USING THE SAME)

바디를 공유하는 메모리 셀 스트링 스택 및 이를 이용한 메모리 어레이

가중치 전극을 갖는 3차원 수직형 메모리 셀 스트링, 이를 이용한 메모리 어레이 및 그 제조 방법

단순화된 비휘발성 메모리 셀 스트링 및 이를 이용한 낸드 플래시 메모리 어레이

낮은 누설전류를 갖는 반도체 메모리 소자 (Semiconductor memory device having low leakage current)

차폐전극을 갖는 3차원 수직형 메모리 셀 스트링 (3D VERTICAL TYPE MEMORY CELL STRING WITH SHIELD ELECTRODE)

메모리 셀 스트링 스택 및 이를 이용한 메모리 어레이 (MEMORY CELL STRING STACK AND MEMORY ARRAY USING THE SAME)