서울대학교 이종호 교수님 연구실Semiconductor Materials and Devices Laboratory

가중치 전극을 갖는 3차원 수직형 메모리 셀 스트링, 이를 이용한 메모리 어레이 및 그 제조 방법

단순화된 비휘발성 메모리 셀 스트링 및 이를 이용한 낸드 플래시 메모리 어레이

낮은 누설전류를 갖는 반도체 메모리 소자 (Semiconductor memory device having low leakage current)

차폐전극을 갖는 3차원 수직형 메모리 셀 스트링 (3D VERTICAL TYPE MEMORY CELL STRING WITH SHIELD ELECTRODE)

메모리 셀 스트링 스택 및 이를 이용한 메모리 어레이 (MEMORY CELL STRING STACK AND MEMORY ARRAY USING THE SAME)

고집적 수직형 반도체 메모리 셀 스트링, 셀 스트링 어레이, 및 그 제조 방법 (High-density vertical-type semiconductor memory cell string, cell string array and

고성능 단일 트랜지스터 플로팅 바디 DRAM 소자 및 그 제조 방법 (High performance 1T-DRAM cell device and manufacturing method thereof)

분리 절연막 스택으로 둘러싸인 차폐전극을 갖는 3차원 수직형 메모리 셀 스트링, 이를 이용한 메모리 어레이 및 그 제조 방법

고집적 플래시 메모리 셀 소자, 셀 스트링 및 그 제조 방법 (High density flash memory device, cell string and fabricating method thereof)

플로팅 바디를 갖는 적층형 비휘발성 메모리 셀 소자, 상기셀 소자를 이용한 비휘발성 메모리 셀 스택, 비휘발성 메모리 셀 스트링, 비휘발성 메모리 셀 어레이 및 그 제조 방법