서울대학교 이종호 교수님 연구실Semiconductor Materials and Devices Laboratory

고성능 낸드 플래시 메모리 셀 스트링 및 셀 소자 및 스위칭 소자 (High-performance NAND flash memory cell string and cell device and switching device)

고집적 낸드 플래시 메모리 셀 소자 및 셀 스트링 (High density NAND flash memory cell device and cell string)

플래시 메모리 셀 스트링, 셀 소자, 및 그 제조 방법 (Flash memory device, cell string and fabricating method thereof)

고성능 단일 트랜지스터 플로팅 바디 DRAM 소자 및 그제조 방법 (High performance 1T-DRAM cell device and manufacturing method thereof)

고성능 단일 트랜지스터 플로팅 바디 DRAM 소자 및 그 제조 방법 (High performance 1T-DRAM cell device and manufacturing method thereof)

낮은 누설전류를 갖는 기둥형 전계효과트랜지스터 (Pillar-type field effect transistor having low leakage current)

고집적 플래시 메모리 셀 스트링,셀 소자,및 그 제조방법 (High density flash memory device, cell string and fabricating method thereof)

낮은 누설전류를 갖는 고밀도 FIN 전계효과트랜지스터및 그 제조 방법 (High density Fin field effect transistor having low leakage current and method of manuf

낮은 누설전류를 갖는 FIN 전계효과트랜지스터 및 그제조 방법 (Fin field effect transistor haiving low leakage currentand method of manufacturing the FINF

플래시 메모리 소자 및 그 제조방법 (Flash memory device and fabricating method thereof)