서울대학교 이종호 교수님 연구실Semiconductor Materials and Devices Laboratory

고성능 단일 트랜지스터 플로팅 바디 DRAM 소자 및 그 제조 방법 (High performance 1T-DRAM cell device and manufacturing method thereof)

분리 절연막 스택으로 둘러싸인 차폐전극을 갖는 3차원 수직형 메모리 셀 스트링, 이를 이용한 메모리 어레이 및 그 제조 방법

Flash memory cell string

고집적 플래시 메모리 셀 소자, 셀 스트링 및 그 제조 방법 (High density flash memory device, cell string and fabricating method thereof)

Fin field effect transistor having low leakage current and method of manufacturing the FinFET

Flash memory device and fabricating method thereof comprising a body recess region

플로팅 바디를 갖는 적층형 비휘발성 메모리 셀 소자, 상기셀 소자를 이용한 비휘발성 메모리 셀 스택, 비휘발성 메모리 셀 스트링, 비휘발성 메모리 셀 어레이 및 그 제조 방법

적층형 비휘발성 메모리 셀 소자, 상기 셀 소자를 이용한 비휘발성 메모리 셀 스택, 비휘발성 메모리 셀 스트링, 비휘발성 메모리 셀 어레이 및 그 제조 방법

고집적 플래시 메모리 셀 스택, 셀 스택 스트링 및 그 제조방법 (High density flash memory cell stack, cell stack string and fabricating method thereof)

고집적 플래시 메모리 셀 소자, 셀 스트링 및 그 제조 방법 (High density flash memory device, cell string and fabricating method thereof)