서울대학교 이종호 교수님 연구실Semiconductor Materials and Devices Laboratory

Vertical channel field effect transistors having insulating layers thereon

안장형 구조를 갖는 MOS소자 (MOS device with saddle type structure)

안장형 플래시 메모리 소자 및 제조 방법 (Saddle type flash memory device and fabrication method thereof)

Double-gate flash memory device

외팔보 형태의 프로브 카드 및 그 제조 방법 (CANTILEVER-TYPE PROBE CARD AND METHOD FORMANUFACTURING THE SAME USING SILICON MICROMACHININGTECHNOLOG

자기 배열 에스오아이 더블 게이트 트랜지스터를 이용한디램 및 이의 제조방법 (DRAM USING ALIGNED SOI DOUBLE GATE TRANSISTOR ANDPROCESS THEREOF)

Double-gate FinFET device and fabricating method thereof

브릿지 형태의 프로브 카드 및 그 제조 방법 (BRIDGE-TYPE PROBE CARD AND METHOD FOR MANUFACTURINGTHE SAME USING SILICON MICROMACHINING TECHNOLOGY)

수직채널을 갖는 전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법 (FIELD EFFECT TRANSISTORS HAVING A VERTICAL CHANNEL ANDMETHODS OF FABRICATING THE SAME)

이중-게이트 FinFET 소자 및 그 제조방법 (Double-Gate FinFET)