서울대학교 이종호 교수님 연구실Semiconductor Materials and Devices Laboratory

High-performance one-transistor floating-body DRAM cell device

저항 변화를 기반으로 한 나노 스케일의 전자기계적 구조의 스위치 소자 (NEMS atomic switch based on resistance variation)

HIGH DENSITY FLASH MEMORY CELL STRING, CELL ELEMENT, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

게이트 다이오드 구조를 갖는 메모리 셀 스트링 및 이를 이용한 메모리 어레이 (MEMORY CELL STRING BASED ON GATED-DIODE CELL AND MEMORY ARRAY USING THE SAME)

수평형 플로팅 게이트를 갖는 FET형 가스 감지소자 (FET TYPE GAS-SENSITIVE DEVICE HAVING HORIZONTAL FLOATING GATE)

Diode-based flash memory device cell string and fabricating method therefor

수직채널을 갖는 모스펫 및 이를 이용한 논리 게이트 소자 (MOSFET HAVING VERTICAL CHANNEL AND LOGIC GATE DEVICE USING THE SAME)

바디를 공유하는 메모리 셀 스트링 스택 및 이를 이용한 메모리 어레이

SADDLE TYPE MOS DEVICE

가중치 전극을 갖는 3차원 수직형 메모리 셀 스트링, 이를 이용한 메모리 어레이 및 그 제조 방법