서울대학교 이종호 교수님 연구실Semiconductor Materials and Devices Laboratory

차폐전극을 갖는 3차원 수직형 메모리 셀 스트링 (3D VERTICAL TYPE MEMORY CELL STRING WITH SHIELD ELECTRODE)

메모리 셀 스트링 스택 및 이를 이용한 메모리 어레이 (MEMORY CELL STRING STACK AND MEMORY ARRAY USING THE SAME)

High density flash memory device and fabricating method thereof

Flash Memory Device

고집적 수직형 반도체 메모리 셀 스트링, 셀 스트링 어레이, 및 그 제조 방법 (High-density vertical-type semiconductor memory cell string, cell string array and

고성능 단일 트랜지스터 플로팅 바디 DRAM 소자 및 그 제조 방법 (High performance 1T-DRAM cell device and manufacturing method thereof)

분리 절연막 스택으로 둘러싸인 차폐전극을 갖는 3차원 수직형 메모리 셀 스트링, 이를 이용한 메모리 어레이 및 그 제조 방법

Flash memory cell string

고집적 플래시 메모리 셀 소자, 셀 스트링 및 그 제조 방법 (High density flash memory device, cell string and fabricating method thereof)

Fin field effect transistor having low leakage current and method of manufacturing the FinFET