서울대학교 이종호 교수님 연구실Semiconductor Materials and Devices Laboratory

Fin field effect transistor having low leakage current and method of manufacturing the FinFET

Flash memory device and fabricating method thereof comprising a body recess region

플로팅 바디를 갖는 적층형 비휘발성 메모리 셀 소자, 상기셀 소자를 이용한 비휘발성 메모리 셀 스택, 비휘발성 메모리 셀 스트링, 비휘발성 메모리 셀 어레이 및 그 제조 방법

적층형 비휘발성 메모리 셀 소자, 상기 셀 소자를 이용한 비휘발성 메모리 셀 스택, 비휘발성 메모리 셀 스트링, 비휘발성 메모리 셀 어레이 및 그 제조 방법

고집적 플래시 메모리 셀 스택, 셀 스택 스트링 및 그 제조방법 (High density flash memory cell stack, cell stack string and fabricating method thereof)

고집적 플래시 메모리 셀 소자, 셀 스트링 및 그 제조 방법 (High density flash memory device, cell string and fabricating method thereof)

고집적 수직형 플래시 메모리 셀 스트링, 셀 소자, 및 그 제조 방법 (High-density vertical-type flash memory device, cell string and fabricating method ther

고성능 낸드 플래시 메모리 셀 스트링 및 셀 소자 및 스위칭 소자 (High-performance NAND flash memory cell string and cell device and switching device)

고집적 낸드 플래시 메모리 셀 소자 및 셀 스트링 (High density NAND flash memory cell device and cell string)

플래시 메모리 셀 스트링, 셀 소자, 및 그 제조 방법 (Flash memory device, cell string and fabricating method thereof)