서울대학교 이종호 교수님 연구실Semiconductor Materials and Devices Laboratory

고집적 플래시 메모리 셀 소자, 셀 스트링 및 그 제조 방법 (High density flash memory device, cell string and fabricating method thereof)

Fin field effect transistor having low leakage current and method of manufacturing the FinFET

Flash memory device and fabricating method thereof comprising a body recess region

플로팅 바디를 갖는 적층형 비휘발성 메모리 셀 소자, 상기셀 소자를 이용한 비휘발성 메모리 셀 스택, 비휘발성 메모리 셀 스트링, 비휘발성 메모리 셀 어레이 및 그 제조 방법

적층형 비휘발성 메모리 셀 소자, 상기 셀 소자를 이용한 비휘발성 메모리 셀 스택, 비휘발성 메모리 셀 스트링, 비휘발성 메모리 셀 어레이 및 그 제조 방법

고집적 플래시 메모리 셀 스택, 셀 스택 스트링 및 그 제조방법 (High density flash memory cell stack, cell stack string and fabricating method thereof)

고집적 플래시 메모리 셀 소자, 셀 스트링 및 그 제조 방법 (High density flash memory device, cell string and fabricating method thereof)

고집적 수직형 플래시 메모리 셀 스트링, 셀 소자, 및 그 제조 방법 (High-density vertical-type flash memory device, cell string and fabricating method ther

고성능 낸드 플래시 메모리 셀 스트링 및 셀 소자 및 스위칭 소자 (High-performance NAND flash memory cell string and cell device and switching device)

고집적 낸드 플래시 메모리 셀 소자 및 셀 스트링 (High density NAND flash memory cell device and cell string)