카테고리1
Domestic
Registration

진공소자의 제조방법 (MANUFACTURING METHOD OF VACUUM DEVICE)

Author
admgenie
Date
2024-03-25
Views
401
본 발명은 진공소자의 제조방법에 관한 것으로 반도체 기판의 소정 부분에 질화막을 형성한 후 이용하여 반도체 기판의 노출된 부분을 500 ~ 10000Å정도의 깊이로 등방성 또는 이방성으로 식각한 후 질화막이 형성되지 않은 반도체 기판의 노출된 부분을 열산화하여 형성된 필드 산화막을 이용하여 반도체 기판의 산화되지 않은 부분을 건식 방법에 의해 500 ~ 20000Å정도의 깊이로 선택적으로 등방성 식각하여 입구가 500~2000Å 정도의 지름을 갖는 홀을 형성하고 이 홀의 내부에 팁을 형성한다. 따라서, 필드 산화막의 가장자리 부분이 두껍기 때문에 홀의 형성시 입구의 지름이 균일하게 형성할 수 있다.

 

등록번호/일자 1001760860000 (1998.11.12)
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