Domestic
Registration
필드산화막 형성과 트랜치 형성이 혼합된 소자격리방법 (Isolation Method Mixing Forming Field Oxide Film And Forming Trench)
Author
admgenie
Date
2024-03-25
Views
403
본 발명은 필드산화막 형성과 트랜치 형성이 혼합된 소자 격리방법에 관한 것으로서, 설계 규칙이 0.25㎛ 또는 그 이하가 되는 소자 제조기술에서 사용될 소자 격리 방법에 관한 것이다. 본 발명은 종래 기술에서 트랜치를 사용한 구조에서의 문제가 될 수 있는 폭이 넓이 영역의 트랜치 형성 및 채우기를 해결하기 위해, 실리콘 기판 위에 열산화막을 성장시키고, 제1질화막을 증착하고 산화질화막을 형성하고, 그 위에 제2질화막을 증착하고, 활성영역을 형성하기 위해 사진식각 공정을 거쳐 건식식각하는 제1공정과, 산화막을 증착하고 그 산화막을 과도비등방성 건식식각하여 산화막 스페이서를 형성하는 제2공정과, 얇은 열산화막을 성장하고 질화막을 덮고 비등방성 건식식각하여 질화막 스페이서를 형성하는 제3공정과, 제1필드산화막을 성장하고 제2질화막과 질화막 페이서를 습식식각하는 제4공정과, 실리콘 기판을 파서 트랜치를 형성하고 얇은 열산화막을 성장하고 CVD 법으로 산화막을 증착하는 제5공정과, 증착된 산화막을 등방섕 건식 또는 비등방성 습식하는 제6공정과, 두께가 상대적으로 작은 미니 필드산화막을 성장하는 제7공정으로 이루어진 것이다.
등록번호/일자 1001990070000 (1999.03.03)
등록번호/일자 1001990070000 (1999.03.03)