본 발명은 이중-게이트 ＦｉｎＦＥＴ 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 벌크(bulk) 실리콘기판을 이용하되, 채널이 형성되는 바디(body)가 될 실리콘의 Fin액티브 영역이 나노 크기의 폭을 갖도록 하고 기판에 연결되도록 하며, 전류가 흐르는 길이 방향으로 담장처럼 형성되게 함으로써 전기적으로 안정된 이중-게이트 ＦｉｎＦＥＴ 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 종래의 이중-게이트 소자는 통상 SOI 실리콘기판을 이용하여 제작하는 데, 이는 웨이퍼 가격이 비싸고 또한 SOI MOS 소자에서 가능한 플로팅 바디 효과나 드레인/소스 사이의 항복접압 강하, off-전류의 증가를 초래하며 기판으로 열전도가 잘 되지 않는 문제가 있다. 본 발명에서는 SOI 실리콘기판 대신에 벌크 실리콘기판을 사용하되, 채널이 형성되는 바디가 될 Fin액티브 영역이 나노 크기의 폭을 가지며 전류가 흐르는 길이 방향으로 담장처럼 형성되어 벌크 실리콘기판과 연결된다.

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