Domestic
Registration
수직채널을 갖는 전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법 (FIELD EFFECT TRANSISTORS HAVING A VERTICAL CHANNEL ANDMETHODS OF FABRICATING THE SAME)
Author
admgenie
Date
2024-03-25
Views
491
수직채널 전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법을 제공한다. 이 트랜지스터는 반도체 기판이 수직으로 돌출된 핀(fin)과, 핀의 하부측벽에 형성된 질화막 라이너 및 핀의 하부측벽 및 질화막 라이너 사이에 개재된 버퍼 산화막을 포함한다. 핀의 상부 측벽에는 버퍼 산화막과 연결된 게이트 절연막이 형성되고, 핀의 주변에는 질화막 라이너에 의해 핀과 소정간격 이격되어 형성된 소자 분리막이 형성된다. 핀의 상부를 가로질러 게이트 전극이 배치된다. 이 트랜지스터의 제조방법은 반도체 기판을 식각하여 핀을 형성하는 것을 포함한다. 핀이 형성된 반도체 기판 상에 버퍼산화막 및 질화막을 콘포말하게 형성하고, 핀의 높이보다 두꺼운 절연막을 형성한다. 절연막을 화학적기계적연마하여 질화막을 노출시킴과 동시에 질화막의 주변을 둘러싸는 소자분리막을 형성한다. 질화막 및 버퍼산화막을 차례로 리세스시켜 핀의 상부를 노출시키고 핀의 하부측벽에 인접하게 질화막 라이너를 형성한다. 핀의 노출된 부분에 게이트 산화막을 형성하고, 핀의 상부를 가로지르는 게이트 전극을 형성한다.
등록번호/일자 1004711890000 (2005.02.01)
등록번호/일자 1004711890000 (2005.02.01)