본 발명은 플래시 메모리 셀 스트링 및 그 제조방법에 관한 것이다. 상기 플래시 메모리 셀 스트링은 다수 개의 셀 소자 및 상기 셀 소자의 끝단에 연결되는 스위칭 소자를 구비한다. 상기 셀 소자는 반도체 기판, 반도체 기판에 순차적으로 적층되는 투과 절연막, 전하 저장 노드, 컨트롤 절연막 및 제어 전극을 구비하고, 소스/드레인 영역은 형성되지 않는다. 상기 플래시 메모리 셀 스트링에서 상기 셀 소자와 셀 소자의 사이의 반도체 기판에는 매몰 절연막을 구비하여, 소스/드레인 기능을 수행하는 반전층이 쉽게 형성되도록 한다. 상기 스위칭 소자는 셀 소자와 연결된 쪽에 소스 또는 드레인 영역을 구비하지 않으며, 셀 소자와 연결되지 않은 쪽에 소스 또는 드레인 영역을 구비한다. 본 발명에 의하여 NAND 플래시 메모리의 셀 소자의 축소화 특성과 성능을 개선하고, 필요시 제어 전극 및 전하 저장 노드로부터의 fringing 전계를 통해 채널의 반전층을 유기해서 셀과 셀 사이 또는 셀 스트링이 전기적으로 연결되도록 한다.

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