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Registration
메모리 셀 스트링 스택 및 이를 이용한 메모리 어레이 (MEMORY CELL STRING STACK AND MEMORY ARRAY USING THE SAME)
작성자
admgenie
작성일
2024-03-25
조회
444
본 발명은 수직으로 적층된 메모리 셀 스트링 스택 및 이를 이용한 메모리 어레이에 관한 것으로, 수평의 제 1 방향으로 복수개의 메모리 셀 소자들이 형성되는 셀 스트링을 절연층을 사이에 두고 수직으로 적층시킬 때, 상하 형성되는 셀 소자 간의 전하 저장노드가 서로 연결되지 않게 함으로써, 상하 셀 소자 간의 전하 이동을 원천 차단할 수 있는 메모리 셀 스트링 스택을 제공하고, 아울러 이를 이용한 메모리 어레이를 제공한다.
등록번호/일자 1010910230000 (2011.12.01)
등록번호/일자 1010910230000 (2011.12.01)