Domestic
Registration
차폐전극을 갖는 3차원 수직형 메모리 셀 스트링 (3D VERTICAL TYPE MEMORY CELL STRING WITH SHIELD ELECTRODE)
Author
admgenie
Date
2024-03-25
Views
468
본 발명은 수직형 반도체 메모리 셀 스트링에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 MOS 기반 플래시 메모리 소자의 축소화 특성과 성능을 개선하고 메모리 용량을 늘리기 위하여 반도체 기판 상에 수직 방향을 따라 3차원으로 반도체 메모리 셀 스트링을 구현하되 셀 스트링에서 발생하는 간섭을 줄이기 위해 차폐전극을 갖도록 한 3차원 수직형 메모리 셀 스트링에 관한 것이다.
등록번호/일자 1010909790000 (2011.12.01)
등록번호/일자 1010909790000 (2011.12.01)