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Registration
낮은 누설전류를 갖는 반도체 메모리 소자 (Semiconductor memory device having low leakage current)
Author
admgenie
Date
2024-03-25
Views
484
본 발명은 반도체 메모리 소자에 관한 것이다. 본 발명에 따른 낮은 누설전류를 갖는 반도체 메모리 소자는 기둥형 반도체에 형성되고, 제1 불순물 유형으로 도핑된 반도체 바디; 상기 반도체 바디의 표면에 형성된 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막의 표면에 형성된 제1 및 제2 게이트 전극; 상기 기둥형 반도체에 형성되되, 상기 반도체 바디의 제1 측면에 형성되며, 제2 불순물 유형으로 도핑된 제1 반도체 영역; 상기 기둥형 반도체에 형성되되, 상기 반도체 바디의 제1 측면과 대향되는 제2 측면에 형성되며, 제2 불순물 유형으로 도핑된 제2 반도체 영역; 및 상기 제1 반도체 영역에 국소적으로 형성되며 제1 반도체 영역보다 작은 밴드갭(bandgap)을 갖는 저밴드갭 영역;을 구비한다. 본 발명에 따른 낮은 누설전류를 갖는 반도체 메모리 소자는 제1 반도체 영역에 제1 반도체 영역보다 낮은 밴드갭을 갖는 저밴드갭 영역을 구비함으로써, 플로팅 바디 현상에 의해 발생되는 전자 또는 정공을 상기 저밴드갭 영역을 통해 빠져나가도록 하여 off 상태에서 누설전류를 감소시킬 수 있다.
등록번호/일자 1011600840000 (2012.06.20)
등록번호/일자 1011600840000 (2012.06.20)