본 발명은 평탄 채널 플래시 메모리 셀 스트링 , 셀 소자 및 스위칭 소자에 관한 것이다. 상기 플래시 메모리 셀 스트링은 다수 개의 셀 소자 및 상기 셀 소자의 끝단에 연결되는 스위칭 소자를 구비한다. 상기 셀 소자는 반도체 기판, 반도체 기판에 순차적으로 적층되는 투과 절연막, 전하 저장 노드, 컨트롤 절연막 및 제어 전극을 구비한다. 상기 전하저장노드는 도전성 물질로 이루어지며 "I"형 또는 "T"형의 구조로 형성된다. 전술한 구조를 갖는 전하저장노드는 상기 제어전극과의 커플링 비를 증가시키고 셀 사이의 cross-talk을 줄이게 된다. 본 발명에 의하여 NAND 플래시 메모리의 셀 소자의 축소화 특성과 성능을 개선하고, 필요시 제어 전극 및 전하 저장 노드로부터의 fringing 전계를 통해 채널의 반전층을 유기해서 셀과 셀 사이 또는 셀 string이 전기적으로 연결되도록 한다.

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