본 발명은 수직형 메모리 셀 스트링 및 그 제조방법에 관한 것이다. 상기 플래시 메모리 셀 스트링은 다수 개의 셀 소자 및 상기 셀 소자의 끝단에 연결되는 스위칭 소자를 구비한다. 상기 셀 소자는, 상부 표면과 하부 표면을 관통하는 제1 관통구를 구비하는 제어 전극; 상부 표면과 하부 표면을 관통하는 제2 관통구를 구비하는 격리 절연막; 상기 제1 관통구의 내측 표면에 형성되는 게이트 스택; 상기 게이트 스택의 내측 표면에 형성되는 바디; 상기 바디의 내측 표면에 형성되는 절연막; 및 상기 절연막의 내측 표면에 의해 형성된 빈 공간에 도전성 물질을 채워 형성되는 도전성 수직 구조물;을 구비한다. 상기 도전성 수직 구조물, 상기 바디 및 상기 절연막은 이웃한 셀 소자의 그것들과 연결된다. 상기 셀 스트링은 상기 도전성 수직 구조물에 의하여 셀 스트링의 상부에 콘택을 형성할 수 있도록 하여, 제조 공정을 단순화한다. 본 발명에 의하여 제조 비용을 줄이면서 NAND 플래시 메모리의 용량증가와 셀 소자의 성능을 개선할 수 있다.

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